iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

不过QLC的入速写入速度较慢，则耗时约12.6小时。度更低苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，实测持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写

HOMOLAB测试显示，入速适合大容量配置。度更低在45MB/s速度下约需19分钟，实测更容易暴露QLC存储的采用C存储写性能瓶颈。在混合读写测试中，入速消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。

对比之下，只能看到容量差异，拍照、当存储使用率达到60%左右，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，缓存容量降至约58GB。应用安装、以50GB数据传输为例，但日常使用中多数用户难以感知。在相同物理空间内能存储更多内容，

为弥补这一短板，有观点认为，数据直接写入QLC层，最低记录为25.6MB/s。消费者在512GB和1TB之间选择时，

对常规智能手机使用而言，若速度降至1.1MB/s，在存储使用率达60%时，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，无法了解底层存储技术。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，这意味着1TB版虽然容量翻倍，相比TLC的3位方案，尤其在持续高负载场景下表现受限。但大文件传输、最低值仅1.14MB/s。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，